華微電子布局低碳產品線，堅定走綠色發展路線

隨著“雙碳”目標持續推進，節能降碳已經成為大勢所趨，國內功率半導體積極布局低碳產品線，不斷加大低碳類項目投入，深化低碳芯片研發及產業化，助力“雙碳”目標早日實現。

在眾多產品中，寬禁帶半導體被認為是具有廣闊發展前景的市場。雖然當前碳化硅、氮化鎵器件相較于硅器件的價格仍較高，但綜合來看，應用寬禁帶半導體器件將給系統帶來巨大的綜合收益。

面對新的增長機遇，華微電子牢牢抓住機會，堅定不移地走“低碳”路線，努力為其發展鋪就一條硬科技綠色通道。目前，華微電子寬禁帶產品生產研發勢頭強勁。

眾所周知，寬禁帶半導體具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強度大、飽和電子漂移速度高、介電常數小以及良好的化學穩定性等特點，特別是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的材料具有更高的電子遷移率，使得器件具有低的導通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。

在GaN(氮化鎵)器件方面，華微電子已開發出650V功率器件，用于消費類電源領域。對于SiC(碳化硅)器件，華微電子已經完成650V～1200VSiC二極管的開發，產品處于量產階段；同時正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推廣，向汽車充電樁、汽車OBC(車載充電器)和光伏儲能領域進行推廣。

華微電子將在未來的工作中繼續大力發展寬禁帶半導體，全力迎接低碳賽道的各項挑戰。

據了解，吉林華微電子股份有限公司是一家集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體的國家級高新技術企業。公司歷經50多年的成長與積淀，已經探索出一條具有華微特色的技術創新路線。近年來，公司通過自主創新、產學研合作、引進消化吸收等多種形式使產品技術不斷升級換代，形成了獨特的核心競爭能力，擁有各項專利技術百余項，核心Knowhow技術百余項。成為國內第一批將 MOSFET、FRD、IGBT 產業化的半導體分立器件制造企業，帶動了國內功率半導體分立器件產業整體發展水平。目前，公司IGBT及功率模塊、MOSFET、FRD、SBD產品性能達到國際先進水平，廣泛應用于工業控制、光伏及儲能、汽車電子、智能家居等領域，產品銷售額居于國內企業前列。